4N二氧化錫，99.99二氧化錫

99.99二氧化錫

氧化錫是一種N型半導體材料。電導率高，化學穩定性好。晶體結構為四方金紅石型，這種結構穩定性好，有助于電子的傳輸，其導電性是由其晶格中自由電子貢獻。

其帶隙約為3.6eV，在可見光范圍內保持透明，同時有催化性能。

摻銻二氧化錫可以是一種N型或P型半導體，取決于摻雜的類型和濃度。摻雜濃度越高，導電性越強。

我們的4N微米級的二氧化錫可應用在導電玻璃、半導體、陶瓷、氣體傳感器（氣敏性表現為在還原性氣體作用下電阻降低。）以及電子元件上。

基于SnO2材料的傳感器的原理是通過吸附目標氣體而導致表面層電導率改變，在高溫下，吸附的目標氣體與表面吸附的氧離子發生反應進一步改變材料電導率。不同的氣體由于其自身結構以及不同晶面相互作用情況的不同，對材料表面電導率影響有時存在差異。這樣可以檢測乙醇、甲醇和甲醛分子等多種氣體材料。

99.99二氧化錫在電催化領域活性比較好，針對氧還原反應（ORR）和析氧反應（OER）。其表面富含的氧空位與活性中心能夠降低反應的能壘，進而提升催化反應的效率。99.99二氧化錫在燃料電池以及水分解等技術中有發展前景。

99.99二氧化錫在半導體領域也展現出不少潛在用途。其電子結構和物理性質，使得它能夠有效地存儲和釋放能量，為高性能電容器的開發提供了新的技術路線。

瑞之祥99.99二氧化錫涂層技術和靶材技術，真空鍍膜技術中也有不錯的運用。

比如用于透明導膜、防輻射和靜電涂料及防偽墨水等。